Samsung ha anunciado un aplazamiento de dos años en su calendario para la producción de chips de 1,4 nanómetros, trasladando la fecha a 2029. La compañía surcoreana ha reconocido que la tecnología de litografía High-NA EUV, fundamental para este avance, aún requiere mejoras técnicas significativas. Este ajuste estratégico busca consolidar los procesos actuales antes de introducir nuevas complejidades.
Actualmente, la producción de chips de vanguardia se sitúa en el proceso de 2 nm para procesadores comerciales. TSMC está fabricando los procesadores A20 Pro para Apple, destinados a los futuros iPhone 18 Pro. Por su parte, Samsung estrenó este proceso con el Exynos 2600, un SoC presente en el Samsung Galaxy Z Flip8. A medida que la litografía madura y mejora sus rendimientos, Samsung ya está planificando su estrategia para los procesos de 1,4 y 1 nm, aunque enfrenta desafíos considerables.
La tecnología de litografía aún no está completamente lista. En 2024, Samsung desveló un ambicioso calendario que prometía tener listos los 1,4 nm para 2027. Sin embargo, dos años después, ese calendario ha sufrido un cambio significativo: los 1,4 nm se retrasan hasta 2029, y Samsung admite que la tecnología High-NA EUV que planeaba utilizar para este proceso todavía necesita mejoras.
Según explicó ChangMin Park, vicepresidente de tecnología en Samsung Electronics, durante la conferencia Next-Generation Lithography + Patterning 2026 (NGL 2026), celebrada en Corea del Sur: “Queríamos aplicar High-NA EUV a la producción en masa en procesos de 2 nm y 1,4 nm, entre otros, pero todavía necesita mejoras técnicas”. Park añadió: “Creemos que High-NA EUV será necesario a partir de los 10 Å [1 nm] y por debajo, y estamos llevando a cabo desarrollos conjuntos con diversos socios”.
Dado que la reducción del tamaño de los circuitos no depende únicamente del diseño de los transistores, Samsung aún no considera que la tecnología High-NA EUV de ASML esté lo suficientemente madura para su implementación en sus fábricas. ASML asegura que su EXE:5000 puede imprimir elementos 1,7 veces más pequeños, logrando una densidad 2,9 veces mayor que los sistemas TWINSCAN NXE anteriores. El desafío para Samsung y otros fabricantes es trasladar estas ventajas teóricas a la cadena de producción.
Samsung necesita reducir la brecha con sus competidores. La competencia en el segmento de los semiconductores de vanguardia es intensa, y Samsung busca que su negocio de fundición sea más atractivo en comparación con TSMC. De ahí su cambio de estrategia: antes de experimentar, Samsung prioriza optimizar los 2 nm, aumentar su producción y mejorar el rendimiento por oblea. Los 1,4 nm deberán esperar hasta 2029; la introducción de los equipos High-NA EUV y el salto a 1 nm se posponen hasta 2030, siempre y cuando el calendario no vuelva a modificarse, lo cual es una posibilidad.
TSMC acapara la mayoría de los contratos, e IBM ha batido récords con el primer chip de menos de 1 nm a nivel experimental. Si bien Samsung lidera el mercado en memoria HBM, no lo hace en SoCs. La compañía debe impulsar su catálogo para hacerlo más atractivo, especialmente con el fuerte avance de China a través de SMIC, que probablemente no tardará en alcanzar los límites de vanguardia. Experimentar con nuevos procesos no parece ser la estrategia más adecuada en este momento.
La desaceleración es evidente. En 2024, Samsung había delineado una carrera hacia el nanómetro con un ritmo acelerado. Dos años después, decide disminuir la velocidad: antes de estrenar la litografía más avanzada, necesita mejorar los procesos de los nodos de vanguardia que ya tiene en producción. En esta competición, no basta con ser el primero en alcanzar el nanómetro; también es crucial lograr su comercialización exitosa.
